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行业动态
> 配体调节柱撑MOF摩擦纳米发电与降解抗生素
配体调节柱撑MOF摩擦纳米发电与降解抗生素
摘要
中原工学院邵志超与郑州大学侯红卫团队在 Adv. Func. Mater.发表研究,通过柱撑配体共轭度调控策略构筑了系列层状MOF材料 ZUT-11-bpy、ZUT-11-azo 与 ZUT-11-bpe,并将其作为正摩擦层与PVDF配对构建摩擦电纳米发电机TENG,并在自驱动电催化降解装置中实现75 min内对氯霉素98.02%的去除率。
研究背景
1. 行业问题
氯霉素、四环素等新型有机抗生素因芳香结构稳定、难以被常规水处理工艺有效去除。电化学高级氧化技术高度依赖外部持续供电,难以满足分布式、低能耗水处理场景的实际需求。
2. 现有方案
摩擦电纳米发电机TENG为自驱动电化学反应提供新的能量来源;已有MOF基TENG研究虽展示了框架电子结构可调的优势,但仍面临带隙大、轨道耦合弱、电荷局域化等内禀瓶颈,制约了摩擦电输出与降解性能的进一步提升。
3. 本文创新
本文以柱撑层状MOF ZUT-11s为平台,通过溶剂辅助配体交换在二维金属–有机层之间精准切换不同共轭度的线性桥联配体(bpy、azo、bpe),实现对框架HOMO–LUMO能隙、功函数和电荷转移路径的连续调制;高共轭bpe柱撑配体的引入为载流子提供了高速通路,显著降低了界面电荷转移能垒,从而同步提升TENG输出性能与自驱动抗生素降解效率。
实验内容
1. ZUT-11-azo 单晶制备
作者以 Cu(NO₃)₂ 与 4,4′-偶氮联吡啶(4,4′-azo)为起始原料,在 DMF/H₂O 混合溶剂中100 °C先反应8 h,再加入 1-氨基苯-3,4,5-三羧酸(H₃L)继续反应48 h,经母液洗涤干燥后得到绿色条带状 ZUT-11-azo 晶体(产率约84%)。
2. 柱撑配体交换构筑 ZUT-11-bpe 与 ZUT-11-bpy
取30 mg干燥 ZUT-11-azo 单晶置于含 4,4′-乙烯基联吡啶bpe或 4,4′-联吡啶bpy的 DMF 溶液中,80 °C密封条件下进行溶剂辅助配体交换48 h,得到结构相同、柱撑配体共轭度不同的三种等结构MOF ZUT-11-bpy、ZUT-11-azo 与 ZUT-11-bpe。
3. TENG组装与输出测试
将 ZUT-11s 系列微晶负载于铜箔作为正摩擦层,与 PVDF 负摩擦层构成垂直接触–分离式 TENG,在2–8 Hz范围内系统测量短路电流、开路电压、不同外接负载下的功率输出以及循环稳定性,并利用整流–升压模块将高压脉冲信号转换为直流以驱动双电极电解池。
分析表征
1. 结构表征
1) ZUT-11s 属三斜 P-1 空间群,PXRD证实框架在配体交换过程中保持二维平移对称性与Cu–O配位几何不变。
2)
SEM-EDS面扫描确认ZUT-11s微晶在铜箔表面均匀分布且循环测试后无明显团聚或脱落,为摩擦电输出稳定性提供结构基础;
3) UV-Vis显示 ZUT-11-bpe 相对游离bpe发生显著红移(288 nm→约385 nm),表明配位组装显著改变电子结构并产生低能电荷转移通道。
3. 摩擦电输出与降解
1) 在2–8 Hz全频段范围内,ZUT-11-bpe的短路电流与开路电压均高于 ZUT-11-azo 与 ZUT-11-bpy,5 Hz下短路电流达104.78 µA、表面电荷密度150 µC m⁻²、功率密度4122.32 mW m⁻²;
2) 自驱动降解装置在75 min内对氯霉素去除率达98.02%,对四环素达97.2%,显著优于 ZUT-11-bpy@TENG(58.4%)与 ZUT-11-azo@TENG(79.03%)。
机理分析
1. 共轭柱撑对电子能垒的调控
DFT计算表明,从 ZUT-11-bpy→ZUT-11-azo→ZUT-11-bpe,框架HOMO能级逐步抬升、HOMO–LUMO能隙收窄、功函数下降,bpe 引入的线性π-共轭体系显著延长载流子寿命,为界面电荷转移提供低能垒高速通道。
2. 配体–金属电荷转移(LMCT)路径
而偶氮–N═N–因强电负性将电子流局域于配体端,导致 ZUT-11-azo 中Cu正电荷升至+0.956,配体–金属电荷转移受限;三维电子–空穴拓扑证实光生空穴在共轭芳族骨架上离域、激发态电子则集中于Cu节点,框架具备跨越空间限制的LMCT机制。
3. 自驱动降解与界面电荷输运关联
高共轭柱撑不仅提高HOMO能级与电荷给–受能力,还通过降低功函数增强摩擦接触时的电子转移倾向,与KPFM及电学输出趋势一致,共同支撑 ZUT-11-bpe@TENG 在整流–升压后向双电极电解池提供稳定直流电流,进而通过阳极氧化与阴极产生活性氧物种实现对抗生素的高效去除。
总结
本文通过溶剂辅助配体交换在同一柱撑层状MOF平台内连续切换共轭度不同的线性桥联配体,构筑了 ZUT-11-bpy、ZUT-11-azo 与 ZUT-11-bpe 系列等结构材料,并通过DFT、KPMM与电学输出三者趋势相互印证,建立了配体共轭度–电子结构–摩擦电性能之间的清晰关联。
文章标题:
Pillar-Controlled Electronic Energy Barrier Reduction in Metal–Organic Frameworks for Self-Powered Antibiotic Degradation
文章作者:
Long Li、Zhichao Shao、Weibing Liu、Xinyu Zhao、Xueyou Wang、Hongwei Hou
DOI:
10.1002/adfm.78721
文章链接:
https://advanced.onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adfm.78721
本文为科研用户原创分享,用于学术宣传交流,具体细节请查阅原文。如有错误、侵权,请联系修改删除,未经允许不得复制转载。
中原工学院邵志超与郑州大学侯红卫团队在AFM发表研究,通过柱撑配体共轭度调控策略构筑了系列层状MOF材料 ZUT-11-bpy、ZUT-11-azo 与与 ZUT-11-bpe,并将其作为正摩擦层与PVDF配对构建摩擦电纳米发电机(TENG),并在自驱动电催化降解装置中实现75 min内对氯霉素98.02%的去除率。
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