三维离子型共轭金属有机框架
摘要
吉林大学陈龙教授与北京化工大学曹达鹏教授团队在Angew. Chem. Int. Ed.(2026, e4078759)中,针对儿茶酚基共轭MOFs以二维结构为主、三维构型设计困难的瓶颈,首次设计并合成了基于四苯并[6,f,j,n][1,5,9,13]四氮杂环十六烯镍(II)(Ni(TAAB))的三维离子型共轭配体,成功构建了新型三维离子导电MOF(MOF1)。该材料具有1.28 eV窄带隙,电子吸收覆盖可见至近红外区;经三氟乙酸掺杂后,在97%相对湿度下质子电导率达0.36 S/m,实现了电子-质子双传导,为三维共轭MOFs多功能离子材料开发提供了新思路。

研究背景
1. 行业问题:
共轭MOFs(c-MOFs)因高电导率和优异稳定性备受关注,但儿茶酚基c-MOFs研究集中于二维结构,三维构型报道极少;三维c-MOFs具有延伸孔道和增强主客体相互作用等优势,应用前景广阔却尚未充分开发。此外,离子型MOFs虽近期有进展,但受限于配体设计约束,功能拓展受限。
2. 现有方案:
目前构建三维儿茶酚基c-MOFs主要有三种策略:设计三维配体、利用特定金属离子(如Fe³⁺或镧系)与二维配体配位、以及对二维MOFs进行后合成修饰插层。但上述方法在配体设计灵活性和功能可调性方面仍存在局限。
3. 本文创新:
首次设计含Ni(TAAB)核心的三维离子型共轭配体,将金属中心嵌入配体骨架构建双金属体系,赋予材料本征离子特性和三维共轭结构,同时实现电子传导与质子传导双功能,突破了现有三维c-MOFs的设计瓶颈。

实验部分
1. 配体与MOF合成:
设计合成Ni(TAAB)单体配体,通过儿茶酚基团与金属离子配位,构建三维离子型共轭MOF(MOF1),实现从二维到三维的结构跨越。
2. 成膜实验:
利用MOF1的离子特性,实现简便的膜材料制备,验证了离子型框架在加工性能上的优势。
3. 酸掺杂与质子传导实验:
以三氟乙酸(TFA)对MOF1进行掺杂处理,在97%相对湿度下测得质子电导率达0.36 S/m,证实材料可作为混合电子-质子导体使用。
实验突破: 首次实现三维离子型儿茶酚基共轭MOF的构建,同时具备电子传导和质子传导双功能,突破了现有c-MOFs以二维结构为主且功能单一的局限。

分析测试
1. 光学与电学表征:
UV-vis-NIR吸收光谱显示MOF1电子吸收覆盖可见光至近红外区域,带隙仅为1.28 eV,表明材料具有窄带隙半导体特性,有利于光吸收和电荷传输。
2. 质子电导率测试:
TFA掺杂后MOF1在97% RH下质子电导率达0.36 S/m,该数值在MOF质子导体中处于较高水平,证实三维离子框架为质子传输提供了有效通道。
3. 结构与形貌表征:
通过XRD、SEM等手段确认MOF1的三维晶体结构和形貌,证实材料具有良好的结晶度和结构完整性。
测试结果揭示: Ni(TAAB)配体的三维共轭结构赋予MOF1窄带隙和宽光谱吸收能力;离子特性使材料兼具成膜加工性和质子传导功能,实现电子-离子双传导协同。

机理分析
1. 电子传导机理:
Ni(TAAB)核心中Ni²⁺与配体间的d-π共轭作用,结合儿茶酚基与金属节点的配位共轭,构建三维连续电子传输通道,实现1.28 eV窄带隙和宽光谱吸收。
2. 质子传导机理:
MOF1的离子特性使其骨架中含有可移动抗衡离子,TFA掺杂后引入额外质子源,三维孔道结构为质子跳跃传输(Grotthuss机理)提供连续路径,实现0.36 S/m的高质子电导率。
3. 双功能协同:
三维离子共轭框架同时提供电子传导路径(共轭骨架)和质子传导通道(离子孔道),两种传导机制互不干扰、协同工作。

总结
1. 本文首次报道了基于Ni(TAAB)的三维离子型共轭MOF(MOF1),实现了儿茶酚基c-MOFs从二维到三维的突破。
2. 材料兼具窄带隙半导体特性(1.28 eV)和优异质子传导性能(0.36 S/m),是罕见的电子-质子混合导体。
3. 离子特性赋予材料良好的成膜加工性,为三维共轭MOFs在能源、传感等领域的应用开辟了新方向。
文章标题:A Three-Dimensional Ionic Conjugated Metal–Organic Framework
作者: Guang Zhang, Zelong Qiao, Xiaorui Ren, Zhen Xie, Xi Su, Jun Xu, Dong Wang, Dapeng Cao, Long Chen
DOI:10.1002/anie.4078759
文章链接:https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/anie.4078759
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吉林大学陈龙与北京化工大学曹达鹏团队在Angew. Chem.中,首次设计Ni(TAAB)三维离子型共轭配体,构建了MOF1,带隙仅1.28 eV,TFA掺杂后质子电导率达0.36 S/m,实现电子-质子双传导,为三维共轭MOFs多功能应用提供新平台
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