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UIO-66-NH2优化钙钛矿太阳能电池
摘要
南京工业大学陈永华、胡浙鲁、徐晖团队在Angew. Chem. Int. Ed. 发表研究,针对窄带隙锡铅钙钛矿因Sn²+与Pb²+路易斯酸性差异,引发结晶异步、薄膜组分偏析、缺陷密度高的问题,提出一种混合籽晶-模板协同调控策略:
1. 研究通过P4VP接枝改性,将CsPbBr₃量子点与多孔UiO-66 MOF复合,构筑UiO-66-P4VP-CsPbBr₃多功能体系。
2. 其中CsPbBr₃量子点可降低结晶能垒、提供外延生长位点,UiO-66与P4VP的活性官能团可配位金属离子、调控结晶动力学,三维框架可作为生长模板制备均匀致密薄膜。
3. 改性后的窄带隙锡铅钙钛矿单结电池光电转换效率达23.32%,填充因子超81%;搭配1.77 eV宽带隙子电池构筑的两端叠层电池,效率可达29.18%,且持续最大功率追踪500小时后仍保留80%初始效率。


研究背景
1. 行业问题:
窄带隙锡铅钙钛矿作为叠层电池底电池关键吸光材料,由于其中Sn²+酸性更强,与卤胺配体配位速率远快于Pb²+,造成成核与结晶速率失衡,最终薄膜晶粒无序、组分不均、缺陷密集,大幅降低器件光电性能与运行稳定性。
2. 现有方案:当前主流改性手段分为两类,
1) 一是籽晶诱导结晶,依托CsPbX₃等晶体降低成核能垒、优化薄膜形貌,但该方法在锡铅混合体系中适配性差,无法根治组分偏析问题;
2) 二是MOF模板调控,利用多孔结构限域前驱体生长、钝化缺陷,但单一MOF对双金属离子结晶动力学的同步调控能力薄弱,改性效果有限。
3. 本文创新:
1) 借助CsPbBr₃量子点提供外延成核中心,降低结晶能垒;
2) 通过UiO-66羰基与P4VP亚胺基团双齿配位Sn²+/Pb²+,平衡结晶速率、抑制组分偏析;
3) 利用三维多孔框架支撑晶粒纵向有序生长,同步提升薄膜结晶质量与均匀性,突破了单一改性策略的性能瓶颈。


实验部分
1. 复合材料制备:

先制备UiO-66-NH₂多孔MOF,利用表面氨基共价接枝P4VP聚合物得到中间体,再通过配体交换将CsPbBr₃量子点固定于聚合物末端,成功制备兼具成核诱导、配位调控、模板限域功能的UiO-66-P4VP-CsPbBr₃复合材料。
2. 薄膜制备与优化:
采用FTO/PEDOT:PSS/perovskite/PCBM/C60/BCP/Ag器件结构,分别制备纯膜与不同材料改性的锡铅钙钛矿薄膜,通过梯度浓度筛选,确定1.0 mg mL⁻¹为最优掺杂浓度。改性后薄膜晶粒尺寸从295 nm提升至611 nm,致密性与均匀性显著改善。
3. 器件组装:
基于最优工艺制备窄带隙单结电池,搭配1.77 eV宽带隙顶电池组装两端全钙钛矿叠层电池,设置空白对照组,通过20组平行样品测试器件性能与重复性,对比改性前后光电参数与滞后效应差异。
4. 稳定性测试:
对未封装器件开展氮气氛围2600小时储存稳定性测试,同时依据ISOS-L-1标准,进行500小时模拟太阳光连续最大功率追踪测试,验证器件长期运行稳定性。


分析测试
1. 结构表征:

1) 纯UiO-66-NH₂比表面积为463.93 m²/g,接枝P4VP、负载量子点后分别降至15.02 m²/g、3.65 m²/g,孔径由2.42 nm调控至1.30 nm,材料孔隙结构完整,具备稳定的前驱体限域生长条件。
2) GIWAXS与XRD映射测试显示,改性薄膜结晶度更高、晶粒取向更优,可实现1.5×1.5 cm²大面积均匀结晶,彻底改善原始薄膜纵横双向结晶不均的缺陷。
2. 组分分布:
TOF-SIMS测试显示,空白薄膜锡铅比值随深度波动剧烈(1.13~1.42),锡元素严重界面富集;改性薄膜锡铅比值稳定维持在1.13,组分均匀。EDS mapping证实改性元素均匀分布,无团聚现象。
4. 光电效应:
1) 稳态PL、TRPL测试证明改性薄膜非辐射复合被显著抑制,载流子寿命延长;KPFM测试优化了薄膜表面电子均匀性。
2) 缺陷测试显示,电子、空穴陷阱密度分别由3.10×10¹⁵ cm⁻³、5.69×10¹⁵ cm⁻³降至2.26×10¹⁵ cm⁻³、2.68×10¹⁵ cm⁻³,缺陷钝化效果优异。
5. 电化学性能:改性器件内置电势提升至0.75 V,载流子提取时间缩短至6.72 μs、寿命延长至0.76 ms;EIS测试证实器件串联电阻降低、复合阻抗提升,电荷分离与传输效率大幅优化。


机理分析
1. 成核生长调控:

1) CsPbBr₃量子点有效降低结晶吉布斯自由能垒,提供外延生长位点;UiO-66-P4VP三维框架通过空间限域,诱导晶粒纵向致密生长。
2) DFT计算显示,改性体系钙钛矿形成能低至-21.04 eV,远优于纯膜的-12.60 eV,更易形成高质量结晶框架。
2. 结晶动力学平衡:
体系中C=O与C=N基团通过O/N双齿配位,同步结合Sn²+与Pb²+,弱化金属-碘键、平衡双离子结晶速率,从根源解决酸性差异导致的结晶异步与组分偏析问题。
3. 缺陷钝化与能级优化:
复合框架与钙钛矿界面形成强配位作用,提升空位形成能、钝化深能级缺陷;同时上调钙钛矿价带顶,优化界面能级匹配,减少界面电荷复合损耗。
4. 稳定性提升:
改性薄膜大晶粒、高致密结构减少晶界缺陷与水汽通道,稳定的配位界面加固钙钛矿晶格,抑制离子迁移与结构坍塌,实现储存与光照运行双重稳定性提升。



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南京工业大学团队在Angew的研究中,创新复合籽晶-模板协同调控策略,依托UiO-66-P4VP-CsPbBr₃体系平衡锡铅钙钛矿结晶动力学,制备出高均匀、低缺陷钙钛矿薄膜,单结电池效率达23.32%,全钙钛矿叠层电池效率突破29.18%,具备优异的长期光照稳定性。