English
+86-21-51987688
sales@chemsoon.com
我的账户
购物车
0
件
结构式搜索
首页
MOF材料有机配体
羧酸MOF配体
多元羧酸MOF配体
四元羧酸MOF配体
三元羧酸MOF配体
二元羧酸MOF配体
对苯二甲酸型配体
间苯二甲酸型配体
联苯二甲酸型配体
多联苯二甲酸型配体
其它二元羧酸配体
含氮MOF配体
多元含氮MOF配体
多元吡啶配体
多元咪唑配体
其他多元含氮唑配体
三元含氮MOF配体
三元吡啶配体
三元咪唑配体
其他三元含氮唑配体
二元含氮MOF配体
二元吡啶配体
二元咪唑配体
其他二元含氮唑配体
最近更新MOF配体
羧酸含氮混合MOF配体
多元混合配体
三元混合配体
二元混合配体
其他MOF配体
二维MOF配体
卟啉
A4-卟啉
A2B2-卟啉
A3B1-卟啉
原卟啉和其他卟啉
金属卟啉
可定制MOF配体
MOF配体
有机框架单体砌块
四苯乙烯砌块
单取代TPE分子
双取代TPE分子
四取代TPE分子
三苯基苯砌块
对苯二甲酸衍生物
异肽酸酯砌块
联吡啶中间体
卤代芳烃中间体
其他单体中间体
COF有机单体
醛COF单体
多元醛基COF单体
四元醛基COF单体
三元醛基COF单体
二元醛基COF单体
氨基COF单体
多元氨基COF单体
四元氨基COF单体
三元氨基COF单体
二元氨基COF单体
硼酸和硼酸酯单体
多元硼酸单体
三元硼酸单体
二元硼酸单体
炔基有机框架单体
多元炔基单体
三元炔基单体
二元炔基单体
腈基有机框架单体
多元腈基单体
三元腈基单体
二元腈基单体
乙腈基单体
卤代有机框架单体
多元卤代单体
三元卤代单体
二元卤代单体
邻二酚和二胺单体
多元二酚和二胺单体
三元二酚和二胺单体
二元二酚和二胺单体
混合COF单体
其他COF单体
可定制COF单体
MOF-有机框架材料
按金属分类的MOF材料
含铁MOF材料
含铜MOF材料
含铝MOF材料
含锆MOF材料
含锌MOF材料
含钛MOF材料
含铬MOF材料
含钴MOF材料
含镍MOF材料
含铈MOF材料
其它金属MOF材料
双金属/MOF材料
按构型来源的MOF材料
IRMOFs
IRMOFs 1-12
MOF-74
MIL-MOF材料
MIL-101型MOF材料
MIL-100型MOF材料
MIL-53型MOF材料
其他MIL-MOFs
ZIF-MOF材料
UiO-MOF材料
PCN-MOF材料
阴离子柱撑多孔材料
DABCO DMOF材料
其他构型MOF材料
不同功能的MOF材料
MOF气体吸附和分离
MOF吸附和分离H2
MOF吸附和分离H2
MOF吸附分离CO2
MOF吸附和分离CH4
MOF吸附其他气体
工业气体分离
乙炔/乙烯/乙烷的分离
丙炔/丙烯/丙烷的分离
其他C4-C10烃类分离
氧气吸附和空分
大孔MOF-用于酶固定
规则介孔MOF材料
细胞实验用纳米级MOF
二维导电MOF材料
吸水吸湿MOF材料
发光MOF材料和探针
MOF掺杂复合与衍生
MOF碳化材料
HOF氢键有机框架材料
COF-有机多孔材料
COF共价有机框架材料
亚胺类COF材料
β-酮烯胺TP-COF材料
TpPa-1类似COF
TpBD类似COF
TpTP类似COF
其他Tp类COF
共价三嗪框架材料CTF
聚酰亚胺PI-COF材料
sp2-碳碳双键COF材料
不同功能特点COF材料
光电功能COF材料
卟啉酞菁基COF材料
噻吩噻唑基COF材料
杂稠环COF材料
AIE-COFs
三苯胺COF材料
三嗪/三苯基苯COF
侧链可后修饰的COF
羟基侧链的COF
乙烯基/炔基侧链COF
可离子化COF
可络合金属COF
特殊形貌和分散性COF
不同拓扑结构COF材料
3D-COF材料
高分子功能材料
g-C3N4 碳化氮
杂多酸POMs
RAFT试剂
离子液体
介孔材料
光电材料
荧光探针及中间体
光电材料中间体
高分子单体
引发剂
交联剂
Cross-Linkers
聚合物
合成化学
原料药合成
API原料药
医药中间体
中药标准品
抑制剂
农药标准品
医药中间体
辅酶
植物提取物衍生物
特种氘代试剂
配体和催化剂
不对称催化配体
小分子催化剂
其他配体
金属催化剂
合成砌块
手性中间体
稠环及衍生物
叠氮/重氮
芳烃
取代芳烃
羧酸/酯类
羧酸/酯类
含氮杂环
腈类
硼酸
长链
烯烃/炔烃
其它化合物
首页
>
行业动态
> 二维导电cMOF的可控断键分解及闭环可回收
二维导电cMOF的可控断键分解及闭环可回收
摘要
德累斯顿工业大学冯新亮教授团队于Science Advances发表的研究,针对电子垃圾处置难题,开发机械化学按需降解策略,实现二维共轭金属有机框架闭环回收。
1. 以M-HHTP基2D c-MOFs为研究对象,碱性体系结合超声空化可选择性破坏金属-配体键,30分钟材料最高降解率92.4%,HHTP单体回收率可达96.3%,回收原料可重新合成同性能MOF材料,形成完整循环体系。
2. 生命周期评估显示,闭环回收能耗52 MJ·kg⁻¹,远低于直接合成的358 MJ·kg⁻¹,碳排放量同步大幅下降,环境优势显著。该再生材料可应用于氢气传感器、超级电容电极、可降解印刷电子器件,为电子行业绿色可持续发展提供可行路径。
研究背景
1. 行业问题:
2030年全球电子设备产生的电子垃圾年产量预计达8200万吨,正规回收率仅17%。复杂电子材料回收难度大,常规处理方式易引发环境污染与资源损耗,现有材料难以同时兼顾电学性能、结构稳定性与回收便捷性。
2. 现有方案:
传统机械、热解、溶剂溶解回收法易损伤材料、能耗高且溶剂危害性大;水溶性自修复材料又存在稳定性不足、服役性能差的问题。2D c-MOFs电学与结构优势突出,适配电子器件场景,但高效闭环回收技术始终未能落地。
3. 本文创新:
依托MO₄配位键兼具稳定性与可逆断裂的特性,选取四种金属配位HHTP基2D c-MOFs为研究体系;利用碱性弱化配位键,搭配超声作用加速降解拆解;建立配体与金属双组分回收工艺,评估环保效益,并搭建多款功能器件验证再生材料实用价值。
实验部分
1.多种2D-cMOF合成:
以HHTP为有机配体,分别与锌、铜、钴、镍金属盐反应,85℃反应2小时制得四种目标2D c-MOFs,产物均具备棒状形貌与层状结晶结构,同时合成对比样用于降解性能参照。
2. 碱-超声协同降解:
确定最优0.05mol/L氢氧化钠反应体系,氮气保护下施加900W、25kHz超声处理。单纯碱液降解速率缓慢,超声辅助后效率大幅提升,30分钟内Zn-HHTP降解率最高达92.3%,其余材料降解速率与金属配位键强度相对应。
3. 原料回收与材料再生:
降解产物经分离、中和、萃取提纯得到高纯HHTP配体,四种材料配体回收率区间85.4%-96.3%,金属离子也可高效回收。利用回收原料二次合成MOF,多次循环后材料基础物性无明显衰减。
4. 可回收料制件及性能:
分别制备Cu-HHTP氢气传感元件、超级电容器电极,以及Zn-HHTP复合印刷电子油墨。将报废器件材料降解回收、再生重组后,复测各项使用性能。
5. 生命周期对比评估:
借助模拟软件核算回收工艺与直接合成工艺的能耗、碳排放,同时和铜、石墨烯、导电聚合物等传统电子材料开展多维度环境指标比对。
分析测试
1. 理论计算:
采用 DFT 密度泛函理论计算配位键断裂能,Zn-HHTP 键断裂能 3.14 eV,为同系列材料最低,最易实现可控降解;Ni-HHTP 断裂能 8.15 eV,降解难度最大,计算结果与实验降解速率完全匹配。
2. 光谱表征:
变温 FTIR 测试显示,3419 cm⁻¹ 处键合羟基峰随温度升高强度下降并蓝移,991 cm⁻¹ 处酚羟基峰逐步增强,证实升温过程配位键逐步解离;二维相关红外明确键断裂先后顺序,40℃开始解离配位键,145℃实现完全断键。
3. X射线精细结构分析:
原始样品Zn-O键键长1.6Å,碱性处理后拉伸至2.4Å,配位环境发生明显改变,原有框架结构被破坏。
4. 物相与微观形貌:
降解过程中XRD特征峰逐步消失,晶体结构坍塌;再生样品衍射图谱与原生样品一致,结晶度完好,微观形貌与元素分布无异常。
5. 孔隙电学参数:
材料比表面积稳定150m²/g,孔径集中1.9nm;电导率维持在10⁻⁶~10⁻³S·cm⁻¹,循环再生后参数波动极小。
6. 纯度与器件性能:
回收配体质谱、核磁检测无杂质,纯度满足合成要求;再生传感器检出限低至0.04ppm,超级电容比电容213.6F/g,印刷电子可按需降解,各项性能达标可用标准。
机理分析
1. 配位键断裂:
MO₄平面配位键可稳定支撑器件运行,碱性环境下氢氧根结合金属中心拉长配位键,形成不稳定中间体;超声机械力进一步打破框架结构,最终拆解为金属氢氧化物与有机钠盐,金属键结合强度直接决定降解快慢。
2. 配体回收及再生:
降解产物分步分离提纯,惰性环境避免配体氧化,复原完整分子结构;多孔结构提供充足活性位点,共轭骨架保障电荷高效迁移,配位键重构后传导能力不受影响,因此再生器件传感、储能性能均可恢复初始水准。
总结
本研究采用碱性联合超声的机械化学法,完成四类HHTP基2D c-MOFs可控降解,有机配体与金属均可高效回收,建成完整材料闭环循环体系。再生材料结构、孔隙、导电性能无明显衰减,循环稳定性优异。生命周期评估印证回收工艺环保优势突出,能耗与碳排远优于传统制备方式与常规电子材料。成功制备三类功能性电子器件,再生产品可正常投入实际使用。
文章标题:
On-demand linkage cleavage in two-dimensional conjugated metal-organic frameworks for closed-loop recyclable electronics
文章作者:
Quanquan Guo、Shaohong Shi、Ningfeng You、Chenchen Wang、Leilei Zheng、Wei Wang、Changjiang Yi、Liping Shu、Hao Xu、Xinliang Feng*
DOI:
10.1126/sciadv.aed9532
文章链接:
https://www.science.org/doi/10.1126/sciadv.aed9532
本文为科研用户原创分享,用于学术宣传交流,具体细节请查阅原文。如有错误、侵权,请联系修改删除,未经允许不得复制转载。
购销咨询
技术咨询
选择分类