+86-21-51987688
首页 > 行业动态 > 【MOF形貌控制】串联组装与蚀刻化学构建介孔导电金属有机框架用于 5 万次以上钠存储
【MOF形貌控制】串联组装与蚀刻化学构建介孔导电金属有机框架用于 5 万次以上钠存储
复旦大学先进材料实验室赵东元/晁栋梁储能团队等(Angew. Chem. Int. Ed. 2025, e202500287)报道了一种通过双功能调节剂(氨)协同组装与蚀刻化学策略,在二维导电金属有机框架(cMOFs)中垂直引入介孔结构的方法。该方法通过同步辐射光谱和形貌分析证实,氨分子首先与 Zn²⁺配位形成缺陷,随后原位蚀刻形成介孔。理论模拟和原位光谱表明,这种垂直介孔结构将微孔通道缩短两个数量级,显著加速 Na⁺传输(速率提升 5 倍),使材料在 250C 下仍保持 62 mAh g⁻¹ 容量,并实现 5 万次循环寿命。该工作为设计高性能能源存储材料提供了新策略。


研究背景
1. 行业问题
二维 cMOFs 因本征导电性和氧化还原活性在能源存储中潜力巨大,但其一维微孔通道导致长程离子传输缓慢,限制了倍率性能和循环稳定性。
2. 研究现状
1) 策略一:通过配体设计扩大孔径,但合成复杂且框架稳定性差;
2) 策略二:牺牲模板法构建分级孔,但结晶度低,影响导电性。
3)本文创新
1) 双功能调节剂:利用氨分子同步调控缺陷形成与蚀刻,首次在 cMOFs 单晶中引入垂直介孔;
2) 结构优化:介孔将微孔通道缩短至 10 nm,缓解离子堆叠,提升传输效率。

实验与分析
1)材料合成与表征
合成方法:以 Zn²⁺和 HHTP 为原料,氨作为调节剂,通过缺陷诱导和原位蚀刻制备介孔 ZnHHTP(m-ZnHHTP);
SEM/TEM:六边形棒状结构,表面均匀分布 13 nm 介孔,与 1.9 nm 微孔垂直;
XRD:高结晶度,c 轴收缩表明介孔形成;
BET:比表面积 240 m² g⁻¹,孔容 0.56 cm³ g⁻¹。
2)电化学性能测试
倍率性能:250C 下容量 62 mAh g⁻¹,50C 循环 5 万次容量保持 78%;
扩散系数:Na⁺扩散系数达 2.44×10⁻⁹ cm² s⁻¹,是传统材料的 5 倍。
3)性能机制
结构优势:垂直介孔缩短传输路径,降低电荷转移电阻(Rct=5.2 Ω);
理论模拟:介孔中 Na⁺扩散系数比微孔高 3 个数量级,溶剂化结构优化促进脱溶。




总结
1)成功制备高结晶度介孔 cMOF 材料 m-ZnHHTP,兼具高比表面积和多级孔结构;实现超高倍率性能(250C)和长循环寿命(5 万次)。
2)首次通过串联组装与蚀刻化学在 cMOFs 中引入垂直介孔;揭示了缺陷形成与蚀刻协同调控的机制。
3)为设计高效离子传输通道提供普适性策略;推动 cMOFs 在钠电池、超级电容器等领域的实际应用。

Tandem Assembly and Etching Chemistry towards Mesoporous Conductive Metal–Organic Frameworks for Sodium Storage Over 50,000 Cycles
文章作者:Jiahao Chen, Gaoyang Li, Fanxing Bu, Jiazhuang Tian, Lin Liu, Yifeng Wang, Jie Zhang, Xingjin Li, Xiang Li, Zhuo Yang, Prof. Dongliang Chao, Prof. Dongyuan Zhao
DOI:10.1002/anie.202500287
文章链接:https://doi.org/10.1002/anie.202500287

本文为科研用户原创分享用于学术宣传交流,具体内容请查阅上述论文,如有错误、侵权等请联系修改、删除。未经允许第三方不得复制转载。